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電阻記憶體材料之 NiO 氧缺陷研究成果

[ 發佈日期 ] 2018/4/23 上午 12:00:00


內容:

電鏡技術開發與應用研究室(EMDA)積極擴展學術合作關係,與國內著名實驗室教授合作電阻式材料之性質與原子鍵結研究,並發表於國際SCI期刊論文,增加成果能見度。

本室與國立交通大學材料系吳文偉研究團隊進行電阻記憶體材料之 NiO 氧缺陷研究。研究成果於20171204刊登於國際重要物理科學期刊:Small 期刊(14, 1703153, 2018),影響係數(Impact Factor)為8.643。論文名稱為 “Observation of Resistive Switching Behavior in Crossbar Core–Shell Ni/NiO Nanowires Memristor”。

本文之學術貢獻在於利用能量損失能譜儀(Electron Energy Loss Spectroscopy, EELS )可解析氧化物鍵結價數,再結合EELS mapping 分析技巧針對不同電阻轉換反應機制過程對氧元素遷移現象,探討出一維奈米線電阻式記憶體轉換機制。

 
▲刊登於國際重要物理科學期刊:Small 期刊 Volume14, Issue6 February 8, 2018 1703153

▲利用高解析EELS 元素分佈解析氧化鎳奈米線,鎳與氧位置分佈情況,並針對選取位置進行元素半定量鑑定。

▲藉由EELS 元素分佈情況與氧化物奈米線化學鍵結價態,推論出電阻式記憶體反應機制,將清楚了解一維結構電阻式奈米線轉換電阻過程模型,有助於未來材料開發。

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