動態臨場觀察氧化矽電阻開關之導電針狀物
[ 發佈日期 ] 2012/9/20 下午 12:59:00
內容：
學術論文：In situ imaging of the conducting filament in a silicon oxide resistive switch, Scientific Reports 336, 1011 (2012)
整理：材化所 羅聖全
摘要：
在許多的電阻式開關系統裡，導電性針狀物之自然性質是複雜且尚未完全被完全釐清的。本研究透過臨場電鏡分析技術，可以即時紀錄氧化矽電阻式開關系統內導電針狀物之生成與演化。電性操作過程(electroforming process)被揭露在氧化矽的基材裡含有富矽元素。半金屬矽奈米晶體由矽傳統鑽石立方結構之結構變化可能被視為導電針狀物之傳導形態。矽奈米晶粒之成長與收縮被視為與不同之電刺激(electrical stimuli)有關並相當清楚顯示在矽形態內有不同轉換過程，並提供操作機制之證據。本文研究還提供在電子元件內部常見之氧化矽膜層內之電性崩壞(electrical breakdown)過程。
RRAM中的filament之微結構與元素特性研究目前正在進行中，本計畫團隊將建立新穎數據分析技術，搭配未來建置之球差電鏡與電子量損失光譜技術，將有機會解析操作元件中filament之全貌。
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