Cs corrected STEM-ABF Imaging研究成果
[ 發佈日期 ] 2014/4/21 上午 12:00:00
內容：
電鏡技術開發與應用研究室(EMDA)積極擴展學術合作關係，與國內著名實驗室教授合作核能材料之性質與原子結構研究，並發表於國際SCI期刊論文，增加成果能見度。本室與國立清華大學工科系開執中 / 陳福榮教授研究團隊進行核能材料之SiC 缺陷研究。研究成果於20140324刊登於國際重要物理科學期刊：Applied Physics Letters 期刊(104, 121909, 2014)，影響係數(Impact Factor)為3.794。論文名稱為 “Atomic configuration of irradiation-induced planar defects in 3C-SiC” 。
本文之學術貢獻在於利用新穎成像模式:環狀明場像(Annular Bright Field; ABF)，可解析Li、C、N、O等輕原子，再結合原子結構模擬驗證3C-SiC界面之原子排列情形與其對應之缺陷模式。核能SiC材料經過輻射損傷後，同時發現intrinsic疊差(Stacking Fault)與Extrinsic疊差之缺陷型態，對於未來材料精進與防範提供學理依據。
▲刊登於國際重要物理科學期刊：Applied Physics Letters 期刊
▲環狀明場像(Annular Bright Field; ABF)=>可解析Li、C、N、O等輕原子。利用新穎成像模式:環狀明場像結合原子結構模擬驗證3C-SiC界面之原子排列情形與其對應之缺陷模式。
▲清大工科系研究團隊提供原子模型與顯微影像模擬數據並與本實驗之TEM實驗結果互相驗證。本研究論文證明了本計畫所建構之電鏡檢測技術具有國際研究水準外，並且能夠提供國內學術界驗證其所發現之新穎核能特性所需要之前瞻電鏡檢測技術。
*ISF: Intrinsic Stacking Fault *ESF: Extrinsic Stacking Fault
參考資訊
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/104/12/10.1063/1.4869829
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