低電壓次原子解析電鏡服務
技術說明
球差校正穿透式電子顯微鏡(Cs-TEM)所產生次原子級的電子束尺寸現正廣泛應用於IC相關等重要元件，低電壓次原子解析能譜影像可應用於Graphene等電子束敏感型等前瞻尖端材料。
機台簡介
JEOL ARM-200F
- 功能簡介
- 建立 in-Situ 、 低電壓球差校正 、 超高空間解析顯像技術 ，提供 前瞻材料 研發所需之動態診斷檢測、複雜材料系統原子 / 奈米界面結構鑑定與 快速元素之解析能力 。
- Specification
- electron gun ： Cold Field-emission tip 場發射式
- accelerating voltage ： max.200 KV 、 120 KV 、 80KV 、 60KV
- magnification ： 50 X ～ 40,000,000 X
- tilt angle ： ±20 degree ( 高傾轉載台之傾轉角度可達 ±80 度 )
- CCD: Gatan UltraScan 1000XP, 2k*2k, DR 16 bit
- Spectrum speed ：EDS Mode: 3,000 counts/sec (energy resolution: 130 eV ) ; EELD Mode: 1,000 spectra/s (energy resolution: 0.4 eV )
- Image Resolution
- Point Resolution ≦ 0.19 nm @200 kV
- Lattice Resolution ≦ 0.10 nm @200 kV
- Point Resolution ≦ 0.34 nm @60 kV
- Lattice Resolution ≦ 0.14 nm @60 kV
- STEM Resolution≦ 0.078 nm @200 kV
- STEM Resolution≦ 0.140 nm @60 kV
- Appendix
- EDS、EELS、STEM、HAADF、LAADF、ABF、Digiscan Image Acquisition System
應用成果
持續精進具備次原子解析能力之電鏡檢測技術，協助國內半導體廠商克服IC相關前瞻技術瓶頸，所建置電鏡檢測能力為國內領先群，目前更將檢測能量支援業界知名大廠之先進元件製程電鏡解析上，已協助提升IC產業經濟價值。
- 次原子空間解析能譜影像
- 以GaAs高速電子元件為載具，展現超高空間EELS能譜解析能力，解析能力可達140 pm。
- 藉由快速能譜影像及樣品表面高潔淨度處理之檢測能力，可精進能譜影像於空間尺度上的解析能力達次原子級，≦1 Å，實測為0.78 Å，達到國際指標。
- 低電壓超高空間影像解析能力
- 國內可達最低操作電壓下並維持超高空間解析能力之電鏡檢測能力，以應用於國際知名graphene材料領域。
- 國內可達最低操作電壓下並維持超高空間解析能力之電鏡檢測能力，以應用於國際知名graphene材料領域。
