雙粒子束聚焦式離子束顯微儀檢測服務
技術說明
以高能量且經由聚焦的鎵離子束流對樣品進行切割，鎵離子以濺射方式移除樣品材料的原子，最終可將樣品厚度檢薄至小於100 nm以下，以符合TEM高解析原子影像以及電子能量損失能譜的需求，以此方式可針對樣品微區製備定點TEM試片。
機台簡介
Helios-G4 CX
- 功能簡介
- 定點TEM樣品製備
- 樣品大範圍橫截面觀察
- 三維微結構觀察
- 平面視角樣品製備
- 單顆微米粒子電性量測
- specification
- Electron beam system
- electron gun：Thermal field emission type
- 工作電壓：0.5~30 kV
- magnification： 72X – 3,300,000 X
- 電子減速模式: -50~4000 V
- Ion beam system
- ion gun：Ga source
- 工作電壓：0.5~30 kV
- magnification： 650X – 500,000 X
- Gas inject system
- Pt、C
- Detector
- In-lens SE&BSE、ETD、ICE
- Resolution
- electron beam:：0.52 nm (15 kV)
- ion beam：3.7 nm(30 kV)
- appendix
- EasyLift nano manipulator、AutoSlice&View
應用成果
定點缺陷TEM樣品製備
單顆微米粒子電性量測
三維重構
三維孔隙率分析
