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雙粒子束聚焦式離子束顯微儀檢測服務

技術說明

以高能量且經由聚焦的鎵離子束流對樣品進行切割,鎵離子以濺射方式移除樣品材料的原子,最終可將樣品厚度檢薄至小於100 nm以下,以符合TEM高解析原子影像以及電子能量損失能譜的需求,以此方式可針對樣品微區製備定點TEM試片。

機台簡介

Helios-G4 CX
  • 功能簡介
    • 定點TEM樣品製備
    • 樣品大範圍橫截面觀察
    • 三維微結構觀察
    • 平面視角樣品製備
    • 單顆微米粒子電性量測
  • specification
    • Electron beam system
      • electron gun:Thermal field emission type
      • 工作電壓:0.5~30 kV
      • magnification: 72X – 3,300,000 X
      • 電子減速模式: -50~4000 V
    • Ion beam system
      • ion gun:Ga source
      • 工作電壓:0.5~30 kV
      • magnification: 650X – 500,000 X
    • Gas inject system
      • Pt、C
    • Detector
      • In-lens SE&BSE、ETD、ICE
  • Resolution
    • electron beam::0.52 nm (15 kV)
    • ion beam:3.7 nm(30 kV)
  • appendix
    • EasyLift nano manipulator、AutoSlice&View

應用成果

定點缺陷TEM樣品製備

單顆微米粒子電性量測

三維重構

三維孔隙率分析