整合性專案服務:協助螢光材料開發上之改良技術
技術說明
於螢光粉材料上之開發,結合噴墨式組合化學合成平台與光激發發光多點快速量測平台,先進行螢光材料之篩選,再配合陰極發光光譜儀(CL)、場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)、能量分散光譜儀(EDS)及 X-Ray 繞射分析儀(XRD)等分析,可快速得到更準確的螢光材料成份、晶相、微結構及光學特性等。
機台簡介
JEOL JSM-6500F / C L(Gatan MonoCL3 plus HSPMT)
- JEOL JSM-6500F Gun:
- Thermal Field Emission Gun (Schottky type)
- Resolution:
- 1.5 nm (at 15 KV),
- 5.0 nm (at 1.0 KV) (SE Image)
- Operation Voltage:
- 0.5~30 KV;
- Probe Current:200 nAMax
- Specimen Stage:
- X=70mm,
- Y=50mm,
- Z=23.5 mm (WD=3~41 mm)
- Tilt=-5~70 degree,
- R=360 degree
- Max. Specimen Size:15mm (diameter) x 10 mm (height)
- appendix:
- EDS system (Oxford X-MAX 80mm2)
- EBSD system (Oxford INCA Crystal 300)
- CL system (Gatan MonoCL3 plus HSPMT)
- C L(Gatan MonoCL3 plus HSPMT)
- 能譜偵測範圍 160nm~930nm, 800nm~1800nm
XRD(X-RAY Generator (PW-1830/40)) / EDS(Oxford X-MAX 80mm2)
- XRD(X-RAY Generator (PW-1830/40))
- 3kW, 60kV, 60mA
- EDS(Oxford X-MAX 80mm2)
- 偵測範圍 原子序5以上
- 能量解析度 Mn Ka<133eV
應用成果
高通量平行合成平台製備之鋁酸鹽螢光體之分析。