快速EM檢測服務(SEM,TEM,FIB)：FIB樣品製備與電性分析技術
技術說明
以雙束型聚焦離子束系統(DB-FIB)為基礎進行奈米材料之奈米尺度切割、加工、蝕刻、操縱與分析檢測，藉由離子束加工/電子束即時觀測的方式進行定點2D/3D TEM樣品製備；或是搭配探針系統，於DB-FIB內進行微/奈米級樣品的定點電性分析。
機台簡介
FEI Nova 200
- Accelerating Voltage:
- Electrons ： 0.2 ～ 30 KV
- Ions ： Up to 30 KV
- Electron Filament:
- Schottky field emitter
- SEM Resolution:
- 3.5 nm @ 30 KV at high vacuum
- 3.5 nm @ 30 KV in ESEM mode
- <15 nm @ 3 KV in low vacuum mode
- Ion Resolution:
- 7 nm @ 30 KV @ 1pA
- Specimen stage:
- 5-axis motorized stage, 50 x 50 mm
- TEM sample preparation:
- Avaliable area → 10μm(L) x 5μm(W)
- Final sample thickness: → < 80 nm (@target)
- Position error: →less than 30 nm.
- Electrical probing:
- Probing geometry →2- or 4-probe probing
- Sample size:
2-probe: > 1 μm (L)
4-probe: > 5μm (L) - Probing error: → less than 50 nm
應用成果
FIB樣品製備技術為全國首創三維TEM電鏡樣品，並有專利開發布局，定點電性量測普及應用於支援國內重要研發單位進行先進材料開發。
