多型態樣品製備服務：新世代SEM截面樣品製備系統
技術說明
以離子束剖面研磨，利用離子束(Ion Beam)去切削出樣品之剖面，可以避面在研磨過程中所產生的應力、拋光液粒子..等的殘留。對於樣品表面分析時，要求非常平整、乾淨的試樣或者像是奈米尺寸的材料，能提供更精確的分析檢測結果。
機台簡介
Gatan Ilion II
- 功能簡介
- 具備GUN離子源可調角度、操作控制面板，可即時觀察影像
- 規格
- Ion Gun: two ion guns
- Beam Energy:100eV to 8keV
- Cross-sectional Cut rate:300 µm/ hr (Si, 8kv)
- Cross sectional Cut width:500µm~1500µm
- Input Gas :Argon gas
- Sample tilt:10 度 to -10 度
- 可處理樣品最大尺寸 :10mm x 10mm x 4mm
- Cooling system : Down to -120 ℃
應用成果
新世代SEM截面樣品製備系統可廣泛應用於金屬或合金材料之EBSD分析、 LED材料開發最佳化與失效分析和EDS奈米顆粒元素成份定性、半定量與分佈分析等。
- 藉由新世代SEM截面樣品製備系統製備的奈米顆粒試片，經SEM/EDS分析後，清楚解析出coating於奈米顆粒的金屬Ni層約40~50nm。
- 製備完成之LED chip試片，於SEM/EDS分析後，可清楚量測出其成份與分佈，解析力可約至60 nm。
- 經EBSD分析後，可清楚量測出晶體之結晶取向、晶界和晶粒尺寸大小與分佈，晶粒尺寸可解析約至100 nm。
